Samsung разработала экспериментальный тип флеш-памяти, который работает на напряжении всего 4–6 В вместо привычных 15–20 В, что значительно снижает энергопотребление, пишет El.kz со ссылкой на Nature. Инженеры объединили сегнетоэлектрические транзисторы и оксидные полупроводники. В основе – транзис